Amélioration du procédé de fabrication Silicium sur isolant (FD-SOI) sur du 12 nm

Après le 22 nm lancé en 2015, le fondeur Globalfoundries se lance dans la fabrication dite FD-SOI en 12 nm de composants, qui seront disponibles dès 2019 pour l’Internet des Objets et la 5G. La technologie FD-SOI, a été développée en France par STMicroelectronics, Soitec et le CEA-Léti.

Le FD-SOI, ou silicium sur isolant totalement déplété, est une alternative à la fabrication de puces FinFET, technologie poussée à l’origine par Intel et ST, puis par la fonderie TSMC. Aujourd’hui, Samsung (pour le 28 nm) et GLOBALFOUNDRIES (pour le 22 nm) travaillent pour mettre en production le FD-SOI. Bien que plus coûteux, le FD-SOI, présente des avantages en termes d’évolutivité en basse tension, en faible puissance et en hautes performances. Le processus 12FDX en 12nm est destiné à créer des composants aptes à la connectivité 5G, à l’intelligence artificielle et aux besoins des véhicules autonomes.

Le 12FDX offre des performances proches du FinFET en 10 nm, mais avec une meilleure consommation d’énergie et à coûts inférieurs à celui du FinFET en 16 nm. La grande majorité des appareils connectés ont besoin des niveaux élevés d’intégration et une plus grande souplesse de performance et de consommation d’énergie, à des coûts que le FinFET ne peut pas atteindre.

D’autre part, NXP confirme que la prochaine génération de processeurs d’applications multimédia i.MX de NXP tirera profit de la technologie FD-SOI pour conjuguer efficacité énergétique et performances pour des applications dans l’automobile, l’industriel et le grand public. Voir aussi www.globalfoundries.com/ www.analog-eetimes.com/   www.vipress.net/

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