De nouveaux MOSFET OptiMOS chez Infineon

Infineon Technologies étend la gamme de ses MOSFET de puissance OptiMOS 5 en 80 V et 100 V. Cette dernière génération de MOSFET de puissance est optimisée pour des fréquences de commutation élevées et dédiées aux alimentations à rectification synchrone pour les applications telecom et serveur mais aussi industrielles comme le solaire, la commande moteur basse tension ou les adaptateurs secteur. La nouvelle gamme de MOSFET OptiMOS 5 présente les plus faibles résistances de conduction du marché (Rds(on)) – jusqu’à 45% de réduction pour la série 80 V et jusqu’à 24% pour les 100 V par rapport à la génération précédente. Cette plus faible résistance permet de réduire le nombre MOSFET en parallèle et de réduire ainsi le coût du sytème. Cette nouvelle génération offre ainsi les niveaux de densité de puissance et d’efficacité énergétique les plus élevés.

Par rapport à la génération précédente, la gamme OptiMOS 5 80V réduit la capacité parasite de sortie de 38 % et l’OptiMOS 5 100V de 25 %. Moins de capacité parasite en sortie signifie moins de pertes en commutation et des surtensions plus faibles pour les topologies à commutations dures et en rectification synchrone. Il en résulte une phase de conception plus rapide et des coûts de développement plus faibles. De plus, la réduction de la charge de grille de 24% et 29% pour les gammes 80V et 100V diminue également les pertes en commutation, en particulier à faible charge et dans des applications nécessitant un haut rendement sur toute la plage de charge, tels que les micro-onduleurs et les optimiseurs de puissance pour les applications solaires.

Les OptiMOS5 80V et 100V sont disponibles en sept boîtiers différents avec des Rdson allant de 1 à 12 mOhm en 80V et de 1.5 à 10 mOhm en 100V. Des échantillons sont disponibles dans les deux classes de tension et pour tous les boîtiers. Les produits sont en production. Des informations complémentaires sont disponibles sur http://www.infineon.com/optimos5-80v100v.

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